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物联网“渗入” 看电力物联网如何玩转智能电网!

2025-07-01 20:14:22科技之光 作者:admin
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Lanza教授领导的团队首次将一种二维绝缘材料,转智约6纳米厚的多层六方氮化硼,转智集成在包含CMOS技术的硅基晶体管芯片上——CMOS代表互补金属氧化物半导体,我们日常使用的电子产品(手机、计算机、汽车、医疗器械和家用电器等)中都存在的一种技术。相比之下,物联网渗物联网网Lanza教授团队制造的器件尺寸仅为260纳米,如果有更先进的芯片制造工艺,可以很容易地制造得更小。

他的学生有些已经就职于顶尖高校如中国科学技术大学和郑州大学等,电力有些被最著名的机构录取为博士后研究人员,电力包括斯坦福大学和IMEC等,还有些去了剑桥大学读博士,去MIT交流。其中六方氮化硼充当忆阻器,何玩晶体管充当电流选择器和限制器。

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